技转工场

面向5G前传的高速半导体激光器

本成果创新性地提出一种沟中沟脊波导 DFB 激光器结构，相比较常规 DFB 激光器，在脊两侧对称的刻蚀两个沟槽。此结构可抑制注入载流子的横向扩散，提高对光场的束缚，提高芯片带宽，满足芯片高速工作需要。通过优化脊与沟槽的距离，可使芯片带宽达到 28.7GHz(@25℃) 和 15.3GHz(@85℃) ，芯片的高温输出光

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技术成熟度

成熟度待评估

所在地

武汉